<delect id="d1zn3"><big id="d1zn3"></big></delect>

      <span id="d1zn3"><thead id="d1zn3"><dfn id="d1zn3"></dfn></thead></span>

        EV、HEV用IGBT模塊

        采用直接水冷銅散熱片基礎結構、實現了高功率密度和小型封裝的EV、HEV用IGBT模塊 產品中分別內置有6個IGBT和FWD。此外,還內置有用于檢測溫度的熱敏電阻。

        產品信息

        • 產品信息

        EV、HEV用IGBT模塊 650V級

        ※點擊產品圖像即可查看等效電路圖。

        VCE(sat): at Tj=25°C, Chip

        Package Device type VCES
        Volt
        IC(Cont)
        Amps.
        IC(Peak)
        Amps.
        VCE(sat)
        Typ. Volts
        VF
        Typ. Volts
        Net mass Grams

        M651
        6MBI400VW-065V 650 200 400 2.00 (IC=400A) 1.70 (IF=400A) 660g

        M652
        6MBI600VW-065V 650 300 600 2.00 (IC=600A) 1.70 (IF=600A) 900g

        :新產品

        :更新

        :開發中

         


        Innovating Energy Technology
        Copyright© 2011Fuji Electric (China) Co., Ltd. All Rights Reserved.
        滬ICP備15040911號-1

        滬公網安備 31010702002305號

        日本线一线二线三线视频

          <delect id="d1zn3"><big id="d1zn3"></big></delect>

            <span id="d1zn3"><thead id="d1zn3"><dfn id="d1zn3"></dfn></thead></span>