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        SiC肖特基勢壘二極管

        SiC器件具有出色的特性,能夠實現高耐壓、低功耗、高頻動作和高溫動作。使用SiC的功率半導體能夠實現大幅節能和安裝產品的小型化、輕量化。

        產品信息

        • 產品信息

        SiC-SBD系列

        接線 VRRM (V) Io (A)
        TO-220

        TO-220F

        TO-247

        T-Pack(s)
        單管 650 6 FDCP06S65 FDCA06S65
        8 FDCP08S65 FDCA08S65
        10 FDCP10S65 FDCA10S65 FDCY10S65 FDCC10S65
        25 FDCP25S65 FDCA25S65 FDCY25S65 FDCC25C65
        1200 18 FDCA18S120 FDCY18S120
        雙管 650 20 FDCP20C65 FDCA20C65 FDCY20C65 FDCC20C65
        50     FDCY50C65  
        1200 36     FDCY36C120  

        :新產品

        :更新

        :開發中

         


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